中国存储芯片厂商扩产，全球竞争升温

人工智能服务器和数据中心需求增长，带动DRAM和NAND存储芯片市场扩张。中国企业长鑫存储（ChangXin Memory Technologies，CXMT）和长江存储（Yangtze Memory Technologies，YMTC）借机扩大生产，并推进技术升级，与三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK hynix）和美光科技（Micron）的竞争逐渐加深。

长鑫存储位于中国北京的生产设施外墙上的公司标志。（越南生意网）

长鑫存储主要生产DRAM。市场研究机构Counterpoint Research的数据显示，2026年第三季度，长鑫存储占全球DRAM营收的9%，高于上年同期的5%。公司表示，已开始以第五代DRAM工艺批量生产；其第六代4F2设计仍处于样品验证阶段，计划于2026年底向客户提供采用该技术的服务器内存模块样品。

长鑫存储第五代DRAM技术平台及相关产品展示。（越南生意网）

长江存储专注于NAND闪存。2026年第二季度，该公司按出货量计算的全球份额达到16.5%，位居第三。其Xtacking技术将存储单元和控制电路分别制造在两片晶圆上，再进行连接，以提高存储密度和数据传输速度。

长江存储标志与电脑主板。（越南生意网）

技术进展仍需转化为稳定、具备成本竞争力的大规模生产。野村证券预计，长鑫存储的4F2芯片要到2027年至2028年才可能实现大规模商业化生产。先进高带宽内存领域的差距也较明显，长江存储在高端NAND产品的存储层数上仍落后领先厂商约一代。

未来竞争的关键之一是能否进入海外客户供应链。Counterpoint Research预测，服务器相关产品到2028年将贡献长江存储近39%的营收。与此同时，新增产能投产后人工智能需求若放缓，传统DRAM市场可能面临更激烈的价格竞争。

来源：越南生意网