中國存儲芯片廠商擴產，全球競爭升溫

人工智能服務器和數據中心需求增長，帶動DRAM和NAND存儲芯片市場擴張。中國企業長鑫存儲（ChangXin Memory Technologies，CXMT）和長江存儲（Yangtze Memory Technologies，YMTC）藉機擴大生產，並推進技術升級，與三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK hynix）和美光科技（Micron）的競爭逐漸加深。

長鑫存儲位於中國北京的生產設施外牆上的公司標誌。（越南生意網）

長鑫存儲主要生產DRAM。市場研究機構Counterpoint Research的數據顯示，2026年第三季度，長鑫存儲佔全球DRAM營收的9%，高於上年同期的5%。公司表示，已開始以第五代DRAM工藝批量生產；其第六代4F2設計仍處於樣品驗證階段，計劃於2026年底向客戶提供採用該技術的服務器內存模塊樣品。

長鑫存儲第五代DRAM技術平臺及相關產品展示。（越南生意網）

長江存儲專注於NAND閃存。2026年第二季度，該公司按出貨量計算的全球份額達到16.5%，位居第三。其Xtacking技術將存儲單元和控制電路分別製造在兩片晶圓上，再進行連接，以提高存儲密度和數據傳輸速度。

長江存儲標誌與電腦主板。（越南生意網）

技術進展仍需轉化為穩定、具備成本競爭力的大規模生產。野村證券預計，長鑫存儲的4F2芯片要到2027年至2028年才可能實現大規模商業化生產。先進高帶寬內存領域的差距也較明顯，長江存儲在高端NAND產品的存儲層數上仍落後領先廠商約一代。

未來競爭的關鍵之一是能否進入海外客戶供應鏈。Counterpoint Research預測，服務器相關產品到2028年將貢獻長江存儲近39%的營收。與此同時，新增產能投產後人工智能需求若放緩，傳統DRAM市場可能面臨更激烈的價格競爭。

來源：越南生意網